سامسونگ امروزبا اعلام آغاز  تولید تراشه‌های حافظه ۶۴ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶۶ گیگابایت  در سرور، موبایل‌ و پی‌سی‌ گفته است. تولید این حافظه‌ها را تا پایان سال به‌گونه‌ای افزایش خواهد داد تا ۵۰ درصد از حافظه‌های NAND تولیدی این شرکت، تراشه ۶۴ لایه V-NANDD باشد.

سامسونگ برای آن که بتواند رقابت خود را حفظ کندمی خواهد تولید50درصد از حافظه NAND دارای  تراشه 64 لایه V-NANDD  باشد .مدیر ارشد بخش حافظه در کمپانی سامسونگ می گوید :ما مرزهای تولید V-NAND را جابه‌جا می‌کنیم و  صنعت را به عصر V-NAND ترابایتی نزدیک می کنیم . و به توسعه نسل بعدی V-NAND ادامه خواهیم داد.

تولید تراشه‌های V-NAND سریع ۶۴ لایه در کمپانی سامسونگ افزایش خواهد یافت

بیشترین نرخ انتقال داده در بین حافظه‌های NAND ،تراشه‌های حافظه ۶۴ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت سامسونگ می باشد گفتنی است که صنعت بر روی عملکرد و اتکاپذیری تمرکز دارد . قابل ذکر است تراشه‌های ۴۸ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت نسبت به تراشه‌های ۶۴ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت ، بازدهی کمتری دارد . همچنین قابل ذکر است تراشه‌های ۶۴ لایه V-NAND تنها به ۲.۵ ولت  ، نسبت به ۳.۳ ولت تراشه‌های ۴۸ لایه V-NAND، مصرف انرژی کمتری دارد .

سامسونگ با 15 سال تحقیق در باره ساختار سه بعدی V-NAND توانسته تا 500 پتنت به نام خود ثبت کند .این شرکت با این تفاسیر توانسته است به تکنولوژی بنیادین تولید V-NAND ترابایتی با 90 لایه دست یابد .

© کپی رایت - ریکاوری هارد و بازیابی اطلاعات امین پایتخت